අයනීකරණ ශක්තිය.
අයනීකරණ ශක්තිය.
පරමාණුවක හෝ අයනයක ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් පවතින ස්ථානයේ සිට අනන්තය නම් වූ ශක්ති මට්ටම තෙක් උද්දීපනය කිරීමට සැපයිය යුතු ශක්තිය අයනීකරණ ශක්තිය ලෙස පොදු වශයෙන් සලකනු ලබයි. ඕනෑම පරමාණුවකට ම එහි තිබෙන ඉලෙක්ට්‍රෝන සංඛ්‍යාවට සමාන අයනීකරණ ශක්ති සංඛ්‍යාවක් පවතී. අයනීකරණ ශක්ති අර්ථ දැක්වීමේදී අදාල ප්‍රෙභ්දයේ මවුලයකට සාපේක්ෂව අර්ථ දක්වන අතර එම සෑම ප්‍රෙභ්දයක්ම වායුමය තත්ත්වයේ පැවතිය යුතු වේ.
ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය අර්ථ දැක්වීම.
ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය ලෙස අර්ථ දක්වනු ලබන්නේ, වායුමය තත්ත්වයේ ඇති පරමාණු මවුලයකින් එක් පරමාණුවකින් එක් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් බැගින් ඉලෙක්ට්‍රෝන මවුලයක් සම්පූර්ණ වශයෙන් ඉවත් කරමින් වායුමය තත්ත්වයේ පවතින ඒක ධන අයන මවුලයක් සෑදීමට ලබා දිය යුතු ශක්තිය වේ.
දෙවන අයනීකරණ ශක්තිය අර්ථ දැක්වීම.
දෙවන අයනීකරණ ශක්තිය ලෙස අර්ථ දක්වනු ලබන්නේ, වායුමය තත්ත්වයේ ඇති ඒක ධන අයන මවුලයකින් එක් අයනයකින් එක් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් බැගින් ඉලෙක්ට්‍රෝන මවුලයක් සම්පූර්ණ වශයෙන් ඉවත් කරමින් වායුමය තත්ත්වයේ පවතින ද්විත්ව ධන අයන මවුලයක් සෑදීමට ලබා දිය යුතු ශක්තිය වේ.
මේ ආදී වශයෙන් අයනීකරණ ශක්ති අර්ථ දැක්විය හැකිය.
අයනීකරණ ශක්තිය රඳා පවතින සාධක
අයනීකරණ ශක්තිය ප්‍රධාන සාධක දෙකක් මත රන්දා පවතී.
01.ඉලෙක්ට්‍රෝන වින්‍යාසයේ ස්ථායී තාවය.
පරමාණුවකින් හෝ අයනයකින් ඉවත්වන ඉලෙක්ට්‍රෝනය ස්ථායී වින්‍යාසයකින් ඉවත් වන්නේ නම් එවිට අයනීකරණ ශක්තිය වැඩිවේ. ඊට හේතුව වන්නේ ස්ථායී වින්‍යාසයකින් ඉලෙක්ට්‍රෝන ඉවත් වන විට ස්ථායී තාවය බින්ද දැමීමට ශක්තිය සැපයිය යුතු වන නිසාය.
02.අරය
පරමාණුවල හෝ අයනවල අරය වැඩිවන විට අයනීකරණ ශක්තිය අඩු වේ.අරය වැඩිවන විට ඉලෙක්ට්‍රෝන න්‍යෂ්ටියට දක්වන ආකර්ශනය අඩුවීම ඊට හේතුව වේ. ආවර්තයක් ඔස්සේ ඉදිරියට ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තියේ විචලනය. (තුන්වන ආවර්තය)
දැන් අපි ඉහත විචලනයට හේතු සාකච්ඡා කරමු.
මෙහි සෝඩියම් සිට මැග්නීසියම් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය වැඩිවීමට හේතුව වන්නේ මැග්නීසියම්ගෙන් ඉවත් වන ඉලෙක්ට්‍රෝනය ස්ථායී වින්‍යාසයකින් ඉවත් වීම ද සොඩියම්ගෙන් ඉවත්වන ඉලෙක්ට්‍රෝනය ඊට සාපේක්ෂව අස්ථායී වින්‍යාසයකින් ද ඉවත් වීමයි.ස්ථායී වින්‍යාසයකින් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන විට අයනීකරණ ශක්තිය වැඩිවන බව අපි දනිමු. ඒ පමණක් නොව සොඩියම් හි පරමාණුක අරයට වඩා මැග්නීසියම් හි පරමාණුක අරය කුඩා වීමද එයට බලපායි.
මැග්නීසියම් සිට ඇලුමිනියම් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය අඩු වීමට හේතුව වන්නේ ඇලුමිනියම් වලින් ඉවත් වන ඉලෙක්ට්‍රෝනයේ ඉලෙක්ට්‍රෝන වින්‍යාසය මැගිනීසියම් ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන වින්‍යාසයට සාපේක්ෂව අස්ථායී වීම ය.
ඇලුමිනියම් සිට සිලිකන් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය වැඩි වීමට හේතුව වන්නේ ඇලුමිනියම්ට සාපේක්ෂව සිලිකන් හි අරය කුඩා වීම ය. සිලිකන් සිට පොස්පරස් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය වැඩි වීමට හේතුව වන්නේ සිලිකන්ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන වින්‍යාසයට සාපේක්ෂව පොස්පරස්ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනක් ඉවත් වන වින්‍යාසය ස්ථායී වීම ය. එසේ ම පොස්පරස් වල අරය කුඩා වීම ද මෙයට බලපායි.
පොස්පරස් සිට සල්පර් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය අඩු වීමට හේතුව වන්නේ සල්පර්ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන වින්‍යාසයට සාපේක්ෂව පොස්පරස්ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත වන වින්‍යාසය ස්ථායී වීමය.
සල්පර් සිට ක්ලෝරීන් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය වැඩි වීමට හේතුව වන්නේ සල්පර්ට සාපේක්ෂව ක්ලෝරීන්ගේ පරමාණුක අරය කුඩා වීමය. ක්ලෝරීන් සිට ආගන් දක්වා ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය වැඩි වීමට හේතුව වන්නේ ආගන්ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන වින්‍යාසය ක්ලොරීන් ගෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් වන වින්‍යාසය ට සාපේක්ෂව ස්ථායී වීම ය.එසේම ආගන් හි පරමාණුක අරය කුඩා වීමද අයනීකරණ ශක්තිය වැඩි වීම කෙරහි බලපායි.
කාණ්ඩයක් ඔස්සේ පහළට ප්‍රථම අයනීකරණ ශත්තියේ විචලනය.
ආවර්තිතා වගුවේ ඕනෑම කාණ්ඩයක් ඔස්සේ පහළට ප්‍රථම අයනීකරණ ශක්තිය ක්‍රමයෙන් අඩු වේ.ඊට හේතුව කාණ්ඩයක් ඔස්සේ පහළට යන විට පරමාණුක අරය ක්‍රමයෙන් වැඩි වීමෙන් ඉලෙක්ට්‍රෝන න්‍යෂ්ටියට දක්වන ආකර්ශනය අඩු වීම නිසා ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉවත් කිරීමට ලබා දිය යුතු ශක්තිය අඩු වීම යි.
